[发明专利]电子束等离子体工艺形成的类金刚石碳层在审
| 申请号： | 201780027603.2 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109075067A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 杨扬;露西·陈;杰·周;卡提克·雷马斯瓦米;肯尼思·S·柯林斯;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;殷正操;刘菁菁;史蒂文·莱恩;贡萨洛·蒙罗伊;詹姆斯·D·卡达希 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层由电子束等离子体工艺形成，其中类金刚石碳层作为半导体应用中的蚀刻工艺中的硬模层。所述类金刚石碳层可通过以下步骤形成：轰击设置在处理腔室中的含碳电极，以在设置于处理腔室中的基板的表面上方的含碳气体混合物中产生次级电子束，和在基板的表面上由该气体混合物的元素形成类金刚石碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 类金刚石碳层 基板 电子束等离子体 处理腔室 电子束 气体混合物 含碳电极 含碳气体 蚀刻工艺 光学膜 混合物 硬模 轰击 半导体 期望 应用 | ||
【主权项】：
1.一种形成类金刚石碳层的方法，包含下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体；和在设置于所述处理腔室中的所述基板的所述表面上形成类金刚石碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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