[发明专利]半导体装置或包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201780027953.9 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN109075209B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;黑崎大辅;中泽安孝;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/477;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序，其中，所述沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都具有结晶性，并且，所述第二氧化物半导体膜的所述结晶性比所述第一氧化物半导体膜的所述结晶性高。
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