[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780028064.4 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109075088B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 本田一尊;茶花幸一;佐藤慎;永井朗 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C09J4/02;C09J11/06;C09J163/00;C09J201/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置为具备具有连接部的半导体芯片和具有连接部的配线电路基板、且各自的连接部相互电连接的半导体装置，或为具备具有连接部的多个半导体芯片且各自的连接部相互电连接的半导体装置。连接部由金属构成。上述方法具备：(a)第一工序，将半导体芯片和配线电路基板、或将半导体芯片彼此以中间隔着半导体用粘接剂的状态，在低于连接部的金属的熔点的温度下，按照各自的连接部相互接触的方式压接，获得临时连接体；(b)第二工序，使用密封用树脂将临时连接体的至少一部分密封，获得密封临时连接体；以及(c)第三工序，将密封临时连接体以大于或等于连接部的金属的熔点的温度加热，获得密封连接体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其为具备具有连接部的半导体芯片和具有连接部的配线电路基板且各自的所述连接部相互电连接的半导体装置的制造方法，或为具备具有连接部的多个半导体芯片且各自的所述连接部相互电连接的半导体装置的制造方法，所述连接部由金属构成，所述半导体装置的制造方法具备：(a)第一工序，将所述半导体芯片和所述配线电路基板、或将所述半导体芯片彼此以中间隔着半导体用粘接剂的状态，在低于所述连接部的金属的熔点的温度下，按照各自的所述连接部相互接触的方式压接，获得临时连接体；(b)第二工序，使用密封用树脂将所述临时连接体的至少一部分密封，获得密封临时连接体；以及(c)第三工序，将所述密封临时连接体以大于或等于所述连接部的金属的熔点的温度加热，获得密封连接体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
