[发明专利]电池反向电压防止系统和方法有效
申请号: | 201780028071.4 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN109075595B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 吉柔燮 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG新能源 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆森;戚传江 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种电池反向电压防止系统,并且具体地,涉及如下一种电池反向电压防止系统,该电池反向电压防止系统能够通过将附加的P型沟道MOSFET连接到现有技术的P型沟道MOSFET栅极端子,来防止电池的电流流向电阻器,以便防止P型沟道MOSFET的开/关由于被安装以限制包括P型沟道MOSFET的现有技术的电池反向电压防止系统中的P型沟道MOSFET产生的电容和暗电流的电阻器而延迟,从而减小现有技术的P型沟道MOSFET的开/关延迟时间。 | ||
搜索关键词: | 电池 反向 电压 防止 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电池反向电压防止系统,所述系统包括:第一金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET),所述第一金属氧化物硅场效应晶体管连接电池和负载,并且阻止从所述电池施加的反向电压;电阻器单元,所述电阻器单元的一侧与所述第一MOSFET的栅极端子相连接,并且另一侧与接地端子相连接;以及第二MOSFET,所述第二MOSFET与所述电阻器单元并联连接,其中当恒定电压被施加到所述第二MOSFET时,所述第二MOSFET变为导通状态,并且流向所述电阻器单元的所述电池的电流被减小以减少所述第一MOSFET的开/关延迟时间。
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