[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780028200.X | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN109075082B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 松本纪久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了对于将基板电极与半导体元件进行接合时使用的、保护半导体元件表面的缓冲材料以使在接合时受到的剪切力分散、抑制的方式进行接合处理，在基板电极的与半导体元件的端面的接合部形成凸部，使该凸部具有向外周方向切除的形状，由此避免在接合后的半导体元件的表面固着缓冲材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件；以及绝缘基板，在表面上形成有基板电极，该基板电极具有经由具有由底面和侧面构成的容器形状的烧结性金属接合材料被接合在所述半导体元件的底面和侧面的接合部，所述基板电极在与所述接合部的侧面相向的部分形成有凸部，并且所述凸部的一边的搭载所述半导体元件的部分的一侧的面是垂直的，且另一边是与搭载所述半导体元件的部分的底面相比向外周方向扩展。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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