[发明专利]用于高功率密度应用的锰掺杂磷光体材料在审
| 申请号： | 201780028488.0 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN109072075A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | J·E·墨菲;S·J·卡玛德洛 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及一种照明装置。该照明装置包括能够产生高功率密度的蓝光的半导体光源。该半导体光源辐射联接到选自单晶和陶瓷的单片形式的式I的磷光体，Ax(M,Mn)Fy(I)其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合，M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合，x是[MFy]离子的电荷的绝对值；并且y是5、6或7。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体光源 照明装置 高功率 磷光体材料 单片形式 密度应用 电荷 磷光体 锰掺杂 单晶 蓝光 离子 陶瓷 辐射 申请 | ||
【主权项】：
1.一种照明装置，其包括：半导体光源，其能够产生高功率密度的蓝光，所述半导体光源辐射联接到选自单晶和陶瓷的单片形式的式I的磷光体，Ax(M,Mn)Fy(I)其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合，M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合，x是[MFy]离子的电荷的绝对值；并且y是5、6或7。
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