[发明专利]氮化物类发光元件有效
| 申请号： | 201780028564.8 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109075530B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;中谷东吾;狩野隆司;左文字克哉 | 申请（专利权）人： | 松下半导体解决方案株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类发光元件，在GaN衬底上依次具备第一导电侧第一半导体层、活性层、第二导电侧第一半导体层，所述第一导电侧第一半导体层包括第一导电型的氮化物类半导体，所述活性层包括含有Ga或In的氮化物类半导体，所述第二导电侧第一半导体层包括第二导电型的氮化物类半导体，在所述活性层与所述第二导电侧第一半导体层之间具备第二导电型的电子阻挡层，所述第二导电型的电子阻挡层包括至少含有Al的氮化物类半导体，所述电子阻挡层具有Al成分变化的第1区域，在所述第1区域，针对从所述活性层向所述第二导电侧第一半导体层的方向，Al成分单调增加，所述第二导电侧第一半导体层中的离所述电子阻挡层近的一侧的区域的杂质浓度，与离所述电子阻挡层远的一侧的区域的杂质浓度相比，相对较低。
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