[发明专利]间接带隙发光器件在审
| 申请号： | 201780028588.3 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110140209A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 彼得鲁斯·约翰内斯·文特尔;马里乌斯·欧热内·古森;克里斯托·让森·万·伦斯堡;尼克拉斯·马托伊斯·富尔 | 申请（专利权）人： | 因西亚瓦(控股)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/18;H01L33/26;H05B37/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;张维克 |
| 地址： | 南非比*** | 国省代码： | 南非;ZA |
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| 摘要： | 间接带隙发光器件包括：非单晶间接带隙半导体材料的第一体。在第一体中，形成有两个区：具有第一掺杂类型和第一掺杂浓度的第一区以及具有第二掺杂类型和第二掺杂浓度的第二区。在第一区与第二区之间形成有结，其中端子排布连接至第一体且被布置成对结进行反向偏置以发光。从半导体的沉积层形成第一体以形成基板的组成部分。集成电路可以包括发光器件和单晶间接带隙半导体材料的第二体。第三体可以将第一体和第二体彼此分开并且电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 发光器件 间接带隙半导体材料 掺杂类型 间接带隙 第一区 掺杂 彼此分开 反向偏置 沉积层 电绝缘 非单晶 成对 单晶 基板 排布 集成电路 半导体 发光 | ||
【主权项】：
1.一种间接带隙发光器件，包括：非单晶间接带隙半导体材料的第一体；具有第一掺杂类型和第一掺杂浓度的所述第一体的第一区；具有第二掺杂类型和第二掺杂浓度的所述第一体的第二区；在所述第一区与所述第二区之间形成的至少一个结；端子排布，连接至所述第一体且被布置成反向偏置所述结以发光；以及基板，由此所述第一体整体地形成为所述基板的一部分，并且由此，从半导体的沉积层形成所述第一体以形成所述基板的组成部分。
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