[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780028680.X 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN109074006B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 小川贵久;福罗满德;高桥信义 申请(专利权)人: 高塔伙伴半导体有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G01B11/00;G03F1/42;G03F7/20
代理公司: 北京煦润律师事务所 11522 代理人: 梁永芳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置具备:包含多个重叠检査标记(61a、61b)的相同图案的第一、第二检査标记区域(51a、51b);具有与第一检査标记区域(51a)重叠的部分的第一元件区域(52);以及具有与第二检査标记区域(51b)重叠的部分的第二元件区域(53)。第一、第二元件区域(52、53)相邻接且具有不同的面积。第一元件区域(52)具有对准多个第一重叠检査标记(61a)的第一图案。第二元件区域(53)具有对准多个第二重叠检査标记(61b)的第二图案。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:第一检査标记区域及第二检査标记区域,该第一检査标记区域及该第二检査标记区域具有包含多个重叠检查标记的相同的图案;第一元件区域,其具有与所述第一检查标记区域重叠的部分;以及第二元件区域,其具有与所述第二检查标记区域重叠的部分,所述第一元件区域及所述第二元件区域互相邻接且具有不同的面积,所述第一元件区域具有第一图案,所述第一图案对准多个第一重叠检査标记,多个所述第一重叠检査标记是多个所述重叠检査标记的一部分,所述第二元件区域具有第二图案,所述第二图案对准多个第二重叠检査标记,多个所述第二重叠检査标记是多个所述重叠检査标记的一部分。
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