[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备有效
申请号: | 201780028722.X | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN109196587B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 神田泰夫;鸟毛裕二 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11C14/00 | 分类号: | G11C14/00;G11C11/412;G11C11/419;G11C7/20;G11C11/16;G11C13/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 程晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体电路包括第一电路(IV1、IV3)和第二电路(IV2、IV4)、第一晶体管(31)和第二晶体管(32)、第一存储元件(35)、以及驱动器(22、23、52、53)。所述第一电路(IV1、IV3)和所述第二电路(IV2、IV4)分别将第一节点(N1)和第二节点(N2)处的电压的反相电压施加至所述第二节点(N2)和所述第一节点(N1)。所述第一晶体管(31)被接通以将所述第一节点(N1)和第三节点耦合。所述第二晶体管(32)包括耦合至所述第一节点(N1)的栅极、漏极和源极。所述漏极和所述源极中的一个耦合至所述第三节点,并且另一个被供应第一控制电压(SCL1)。所述第一存储元件(35)包括耦合至所述第三节点的第一端和被供应第二控制电压(SCTRL)的第二端。所述第一存储元件(35)能够采取第一或第二电阻状态。所述驱动器(22、23、52、53)控制所述第一晶体管(31)的操作并且生成所述第一控制电压(SCL1)和所述第二控制电压(SCTRL)。 | ||
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【主权项】:
1.一种半导体电路,包括:第一电路,其被配置成基于第一节点处的电压生成所述第一节点处的所述电压的第一反相电压,并且将所述第一反相电压施加至第二节点;第二电路,其被配置成基于所述第二节点处的电压生成所述第二节点处的所述电压的第二反相电压,并且将所述第二反相电压施加至所述第一节点;第一晶体管,其将所述第一节点或所述第二节点耦合至第三节点;第二晶体管,其耦合至所述第一节点或所述第二节点、所述第三节点,并且被供应第一控制电压;以及第一存储元件,其包括耦合至所述第三节点的第一端和被供应第二控制电压的第二端。
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