[发明专利]用于改进晶体管性能的方法

摘要

一种改进晶体管性能的方法使用具有场效应晶体管FET的第一区(102)和晶片(100)表面处的电路的单晶半导体的所述晶片(100)，以及红外IR激光器，所述红外IR激光器具有透镜用于将IR光聚焦到第二深度(112)，所述第二深度与所述第一区(102)的第一深度相比距所述晶片(100)表面更远。聚焦的激光束跨越所述晶片(100)平行于所述晶片(100)表面移动以致使所述第二深度(112)处的局部多光子吸收，用于将所述单晶半导体变换为具有高密度位错的多晶半导体的第二区(111)。所述第二区(111)具有高度和横向延伸部，且永久地对所述单晶半导体施加应力。所述应力增加所述FET的沟道中的多数载流子迁移率，从而改进晶体管性能。

主权项

1.一种改进晶体管性能的方法，所述方法包括：提供单晶半导体的晶片，所述晶片具有表面和多个装置芯片，所述装置芯片包含场效应晶体管FET的第一区和延伸到距所述表面第一深度的电路；提供红外IR激光器，所述红外IR激光器具有透镜用于将IR光聚焦到距所述晶片表面第二深度，所述第二深度大于所述第一深度；以及跨越所述晶片平行于所述表面移动所述聚焦激光束以引起所述第二深度处的局部多光子吸收，用于将所述单晶半导体变换为具有高密度位错的多晶半导体的第二区，所述第二区具有高度和橫向延伸部。