[发明专利]多晶硅棒及其制造方法有效
| 申请号： | 201780030859.9 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN109153574B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和之 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在棒表面部的磷浓度为0.015ppba以下的多晶硅棒中，棒芯部的磷浓度(P2)相对于棒表面部的磷浓度(P1)之比(P2/P1)在2以下的范围内。本发明的多晶硅棒的制造方法为基于西门子法的制造方法，在将多晶硅的籽晶棒组装于反应炉内之后，将该籽晶棒通电加热至1000℃以上且低于硅的熔点的温度，在该加热温度下向反应炉供给以三氯硅烷气体与氢气为主要成分的原料气体并使硅在籽晶棒表面析出生长。在将籽晶棒加热至1000℃以上且低于硅的熔点的温度之后，将四氯化硅气体与氢气的混合气体以炉壁温度维持在30℃以上的状态向反应炉供给10分钟以上，从而在反应炉内蚀刻籽晶棒的表面，接着，在所述加热的温度下供给以三氯硅烷气体与氢气为主要成分的原料气体。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅棒，其特征在于，棒表面部的磷浓度为0.015ppba以下，棒芯部的磷浓度P2相对于所述棒表面部的磷浓度P1之比P2/P1在2以下的范围内。
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