[发明专利]蚀刻方法

摘要

包括：利用在处理容器内生成的处理气体的等离子体，在多个含硅区域(R1、R2、R3)中的任一个以上的表面形成蚀刻辅助层(ML)的第1步骤；和对蚀刻辅助层(ML)施加能量的第2步骤，能量是能够除去蚀刻辅助层(ML)的能量以上的能量，比位于蚀刻辅助层(ML)的正下方的区域能够被溅射的能量小，反复执行包括第1步骤和第2步骤的流程。

主权项

1.一种蚀刻方法，将包括具有彼此不同的组成的多个含硅区域的被处理体收纳在处理容器内，有选择地对所述多个含硅区域中的任一个以上的含硅区域进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于，包括：第1步骤，利用在所述处理容器内生成的处理气体的等离子体，在所述多个含硅区域中的任一个以上的表面形成蚀刻辅助层；和对所述蚀刻辅助层施加能量的第2步骤，所述能量是能够除去所述蚀刻辅助层的能量以上的能量，比位于所述蚀刻辅助层的正下方的区域能够被溅射的能量小，反复执行包括所述第1步骤和所述第2步骤的流程。