[发明专利]光检测装置以及电子设备有效
| 申请号： | 201780031869.4 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN109196662B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 清水隆行 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光检测装置(1)包括SPAD偏压控制块(20)，所述SPAD偏压控制块(20)利用脉冲信号的脉冲数来调整反向偏置电压，所述脉冲信号由第一光(4)的入射而从SPAD阵列(8)输出。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种光检测装置，其特征在于，包括：第一SPAD阵列，其供作为从发光部出射的光脉冲的第一光入射，且以盖革模式工作；第二SPAD阵列，其供所述第一光由检测对象物反射所得的第二光入射，且以盖革模式工作；电压产生部，其对所述第一SPAD阵列及所述第二SPAD阵列施加反向偏置电压；以及电压调整部，其利用脉冲信号的脉冲数来调整所述反向偏置电压，所述脉冲信号由所述第一光的入射而从所述第一SPAD阵列输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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