[发明专利]增强型FET栅极驱动器集成电路有效
| 申请号： | 201780031960.6 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN109155627B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·A·德·鲁伊;大卫·C·罗伊施;S·比斯瓦斯 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;G05F1/00;G05F1/66;H01L23/528;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种完全集成的GaN驱动器，包括数字逻辑信号反相器、电平转换器电路、UVLO电路、输出缓冲级以及(可选地)待驱动的FET，其均被集成在单个封装中。电平转换器电路将输入处的接地参考0‑5V数字信号转换为输出处的0‑10V数字信号。输出驱动电路包括与低侧GaN FET相比反相的高侧GaN FET。反相的高侧GaN FET允许开关操作，而不是源极跟随器拓扑，从而提供数字电压以控制由电路驱动的主FET。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 fet 栅极 驱动器 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于驱动增强型GaN场效应晶体管的集成栅极驱动电路，包括完全集成在单个芯片中的以下元件：栅极驱动器，包括：逻辑反相器电路；具有输入和输出的电平转换器电路，所述电平转换器电路将所述输入处的接地参考0‑5V数字信号转换为所述输出处的0‑10V数字信号；以及用于驱动FET的输出级；以及连接到所述栅极驱动器的欠压锁定电路，包括：用于产生预定电压参考的电压参考电路；以及比较器，其用于接收所述电压参考电路的输出，并且如果电源电压低于所述预定电压参考时，用于阻止所述栅极驱动器的操作。
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