[发明专利]半导体连续阵列层有效
| 申请号： | 201780032011.X | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN109314164B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 朱振甫 | 申请（专利权）人： | 朱振甫 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 倪中翔 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体连续阵列层，包含：复数个半导体单元所组成的一阵列；以及每一个半导体单元的一侧壁被一固化材料或一半固化材料所包围并连接在一起以形成一半导体连续阵列；其中，复数个空隙或气隙被该半固化材料或该固化材料包围在该半导体连续阵列内，或在该半导体连续阵列的边缘周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 连续 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种将一可流动材料填充到一半导体组件模块中的一间隙区域的方法，包含：在一基板上形成复数个半导体单元以产生一阵列模块；将该阵列模块附装到具有电路的一背板，以形成具有复数个间隙区域和边缘间隙区域的半导体组件模块，该间隙区域位于该半导体组件模块内部，该边缘间隙区域围绕该半导体组件模块的边缘；分配该可流动材料于该半导体组件模块的边缘；提供一高作用压力环境以推进该可流动材料进入该半导体组件模块的间隙区域；通过减少该高作用压力环境的压力使该半导体组件模块的间隙区域中产生一空隙；以及施加热或光子能量以硬化该可流动材料以将硬化的该可流动材料和该空隙保持在该间隙区域中。
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