[发明专利]将FINFET CMOS器件与嵌入式非易失性存储器单元集成的方法有效
| 申请号： | 201780032086.8 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109196649B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;H.V.陈;N.杜 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/792;H01L29/788 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕传奇;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成具有在平面衬底表面上方的存储器单元和在鳍形衬底表面部分上方的FinFET逻辑器件的存储器器件的方法，所述方法包括在所述衬底的存储器单元部分中的先前形成的浮栅、擦除栅、字线多晶硅和源极区上方形成保护层，接着在所述衬底的所述表面中形成鳍片并沿着所述鳍片在所述衬底的逻辑部分中形成逻辑门，然后去除所述保护层并完成在所述衬底的所述存储器单元部分中从所述字线多晶硅形成字线栅以及漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 存储器单元 字线多晶硅 衬底表面 保护层 鳍片 存储器器件 逻辑器件 擦除栅 漏极区 逻辑门 源极区 字线栅 浮栅 鳍形 去除 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储器器件的方法，包括：/n在衬底的第一表面区域上方且与之绝缘地形成成对间隔开的第一导电块，其中对于每对所述间隔开的第一导电块，在所述第一导电块之间的区域限定内区，并且在所述第一导电块之外的区域限定外区；/n形成多个源极区，每个源极区设置在所述衬底中和所述内区中的一个内区中；/n形成第二导电块，每个导电块设置在所述源极区中的一个源极区上方且与之绝缘；/n形成第三导电块，每个导电块设置在所述外区中的一个外区中，并且设置在所述衬底上方且与之绝缘；/n在所述第一导电块、所述第二导电块和所述第三导电块上方形成保护层；/n在所述保护层的所述形成之后：/n在所述衬底的第二表面区域中执行硅蚀刻以形成所述衬底的鳍片，以及/n形成第四导电块，每个导电块沿着所述衬底的所述鳍片中的一个鳍片的顶表面和侧表面延伸且与之绝缘；以及/n在所述硅蚀刻的所述执行和所述第四导电块的所述形成之后：/n去除所述保护层，/n执行蚀刻以选择性地去除所述第三导电块中的每个导电块的中间部分，/n形成多个漏极区，每个漏极区设置在所述衬底中且与所述第三导电块中的一个导电块相邻，以及/n在所述衬底的所述鳍片中的每个鳍片中形成第二源极区和第二漏极区。/n
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