[发明专利]具有优化层的碳化硅金属氧化物半导体（MOS）装置中的电场屏蔽

摘要

本文中公开的主题涉及碳化硅（SiC）功率装置。具体地，本公开涉及供与优化层组合使用的屏蔽区。公开的屏蔽区降低了在反向偏置下半导体装置的邻接装置单元的阱区之间存在的电场。公开的屏蔽区占据在相邻装置单元之间的JFET区的一部分并且在邻接装置单元的角接触的JFET区的最宽部分中中断优化层的连续性。公开的屏蔽区和装置布局启用相对于可比较的尺寸的常规的带状装置更好的性能，同时仍然提供相似的可靠性（例如，处于反向偏置的长期、高温稳定性）。

主权项

1.一种装置，包含：至少部分地设置在具有第一导电类型的半导体装置层中的多个装置单元，其中所述多个装置单元中的每个装置单元包含：具有第一导电类型的漂移层；从所述半导体装置层的表面延伸到所述漂移层并且具有所述第一导电类型的优化层，其中所述优化层具有大于所述漂移层的平均掺杂浓度的平均掺杂浓度； 具有所述第一导电类型的、至少部分地设置在所述优化层内的源极区； 具有第二导电类型的、至少部分地设置在所述优化层内与所述源极区相邻的沟道区；以及 具有所述第一导电类型和第二掺杂浓度的、设置在所述优化层内在所述多个装置单元的所述沟道区之间的JFET区，其中所述JFET区在所述装置单元的所述阱区和邻接装置单元的阱区的平行部分之间具有平行JFET宽度；以及具有所述第一导电类型和第一掺杂浓度的多个设置在优化层内的屏蔽区（SROL），其中所述多个SROL至少部分地被设置在所述多个装置单元的邻接装置单元的所述沟道区之间的所述JFET区的一部分内。