[发明专利]包含无任何贯通孔的内插层的半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201780032360.1 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN109196627B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 比什-因·阮;卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;C·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/762;H01L21/56;H01L25/065;H01L21/98;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张培源;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在选定条件下将氢物种和氦物种(例如离子)引入临时支撑件(1)，以便在其中预定深度处形成弱化平面(2)，并定义所述临时支撑件(1)的表面层(3)和剩余部分(4)；在所述临时支撑件(1)上形成互连层(5)；将至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上；将加固件(8)组装在所述至少一个半导体芯片(6)的背面上；和对所述临时支撑件(1)提供热能，以便分离所述剩余部分(4)并提供所述半导体结构。互连层(5)形成无任何贯通孔的内插层。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 任何 贯通 内插 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构(10)的方法，所述方法包括：·在选定条件下将氢物种和氦物种引入临时支撑件(1)，以便在其中预定深度处形成弱化平面(2)，并定义所述临时支撑件(1)的表面层(3)和剩余部分(4)；·在所述临时支撑件(1)上形成互连层(5)，所述互连层包含接触垫(5a)和在所述接触垫(5a)之间的导电路径(5b)；·将至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上以使所述芯片的导电部件(6a)与所述互连层(5)的接触垫(5a)电耦合；·将加固件(8)组装在所述至少一个半导体芯片(6)的背面上；·对所述临时支撑件(1)提供热能和可选的机械能，以分离所述剩余部分(4)并提供所述半导体结构(10)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780032360.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
