[发明专利]基于间接带隙半导体纳米晶的大面积发光的太阳能聚集器在审
申请号: | 201780032736.9 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN109196660A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | S·布洛维利;F·梅伊纳迪 | 申请(专利权)人: | 米兰比可卡大学 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 谭冀 |
地址: | 意大*** | 国省代码: | 意大利;IT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的主题是发光的太阳能聚集器,其包含玻璃状或塑料基体,该玻璃状或塑料基体含有胶态间接带隙半导体纳米晶并特别地含有硅纳米晶。 | ||
搜索关键词: | 间接带隙半导体 太阳能聚集器 塑料基体 玻璃状 纳米晶 发光 硅纳米晶 胶态 | ||
【主权项】:
1.发光的太阳能聚集器,包含聚合物材料或基于二氧化硅的玻璃的本体(1)并包含胶态纳米晶(2),其特征在于后者是间接带隙半导体纳米晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的