[发明专利]具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池的金属化

摘要

本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，该第一薄介电层设置在所述基板的背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，第二薄介电层设置在基板的背表面上。第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区的暴露的外部部分上，并且直接侧向设置在第一多晶硅发射极区和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在第二多晶硅发射极区上。本发明还描述了金属化方法，其包括用于形成第一导电触点结构和第二导电触点结构的蚀刻技术。

主权项

1.一种背接触太阳能电池，包括：基板，所述基板具有光接收表面和背表面；第一导电类型的第一多晶硅发射极区，所述第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上；第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区，所述第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上；第三薄介电层，所述第三薄介电层设置在所述第一多晶硅发射极区的暴露的外部部分上方，并且直接侧向设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间；第一导电触点结构，所述第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上方；以及第二导电触点结构，所述第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上方。