[发明专利]硅晶圆的热处理方法有效
| 申请号： | 201780033330.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN109196625B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 前田进;番场博则;须藤治生;冈村秀幸;荒木浩司;末冈浩治;中村浩三 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B33/02;H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
快速升降温热处理装置的处理温度T |
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| 搜索关键词： | 硅晶圆 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆的热处理方法，快速升降温热处理装置的处理温度TS为1250℃～1350℃，且从所述处理温度开始的降温速度Rd在20℃/秒～150℃/秒的范围内，热处理气氛气体中的氧分压P的上限由下述式(A)表示，下限由下述式(B)表示，在该上限和下限的范围内进行热处理，P＝0.00207TS·Rd‑2.52Rd+13.3 (A)，P＝0.00548TS·Rd‑0.605Rd‑0.511 (B)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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