[发明专利]用于处理硅材料的方法

摘要

本公开提供了用于制造光伏器件的方法，这些方法包括一系列退火步骤和退火期间到电磁辐射的暴露，这一系列退火步骤和暴露允许钝化电活性缺陷并稳定光伏器件的性能。

主权项

1.一种用于制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括硅p‑n结的基板；在存在氢源的情况下在500℃至700℃之间的温度下使所述基板退火第一预定时间段，以允许氢原子进入到所述硅p‑n结的硅材料中；以及在按照以下方式将所述基板保持在150℃至400℃之间的温度的同时将所述基板暴露到电磁辐射，该方式是使得以至少20mW/cm2的辐射强度提供具有比所述硅材料的带隙的能量更高的能量的光子，并且在所述硅材料中产生少数载流子的过剩；其中，在使所述基板退火和将所述基板暴露到电磁辐射的步骤期间，所述硅材料中的电活性缺陷被钝化。