[发明专利]用于串扰减少的电容性结构有效
| 申请号： | 201780033711.0 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN109478173B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张志超;X·李;K·艾京;钱治国;T·梅米奥格鲁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个实施例提供了一种装置。该装置包括双列直插式存储器模块(DIMM)。DIMM包括至少一个存储器模块集成电路(IC)；DIMM印刷电路板(PCB)；多个DIMM PCB触点；和电容性结构。每个DIMM PCB触点用于将存储器模块IC耦合到相应的DIMM连接器引脚。电容性结构用于在第一DIMM连接器信号引脚和第二DIMM连接器信号引脚之间提供互电容。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 电容 结构 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：双列直插式存储器模块(DIMM)，包括：至少一个存储器模块集成电路(IC)；DIMM印刷电路板(PCB)；多个DIMM PCB触点，每个DIMM PCB触点用于将所述存储器模块IC耦合到相应的DIMM连接器引脚；以及电容性结构，所述电容性结构在第一DIMM连接器信号引脚和第二DIMM连接器信号引脚之间提供互电容。
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