[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

碳化硅半导体装置具有设置于n⁺型碳化硅基板(1)的正面的n⁺型漂移层(2)，在n⁺型漂移层(2)的表面层设置有第一p⁺型区(3)，在n⁺型碳化硅基板(1)的正面侧，形成有沟槽(16)。第一p⁺型区(3)由深的第一p⁺型区(3a)和浅的第一p⁺型区(3b)构成，所述深的第一p⁺型区(3a)位于比沟槽(16)的底部更深的位置，所述浅的第一p⁺型区(3b)位于比沟槽(16)的底部更浅的位置，在深的第一p⁺型区(3a)中，以预定的比例注入其他元素，所述其他元素是与通过决定第11p⁺型区(3)的导电型的杂质而排出的元素进行结合的元素。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的宽带隙半导体基板，其由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的宽带隙半导体层，其设置在所述宽带隙半导体基板的正面，且由带隙比硅宽的半导体构成，所述第一导电型的宽带隙半导体层的杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低；第二导电型的第一基区，其选择性地设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板侧为相反侧的表面层；第二导电型的第二基区，其选择性地设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的内部；第二导电型的宽带隙半导体层，其设置在所述第一导电型的宽带隙半导体层的相对于所述宽带隙半导体基板为相反侧的表面，且由带隙比硅宽的半导体构成；第一导电型的源极区，其选择性地设置在所述第二导电型的宽带隙半导体层的内部；沟槽，其贯通所述源极区和所述第二导电型的宽带隙半导体层而到达所述第一导电型的宽带隙半导体层；栅电极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述沟槽的内部；源电极，其与所述第二导电型的宽带隙半导体层和所述源极区接触；以及漏电极，其设置在所述宽带隙半导体基板的背面，所述第一基区具有深的第一基区和浅的第一基区，所述深的第一基区位于比所述沟槽的底部向所述漏电极侧更深的位置，所述浅的第一基区位于比所述沟槽的底部向所述源极区侧更浅的位置，对所述深的第一基区，以预定的比例注入与被决定所述第一基区导电型的杂质排出的元素进行结合的其他元素。