[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号： | 201780034148.9 | 申请日： | 2017-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN109219865B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 中井仁司 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B05D1/40;B05D3/04;B05D3/10;B05D3/12;H01L21/304;H01L21/306;B05C11/08;B05C11/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板处理装置的基板(9)的处理中，首先，向基板(9)的上表面(91)供给填充剂溶液。由此，在基板(9)的上表面(91)上形成填充剂溶液的膜即涂布膜，基板(9)的上表面(91)上的构造体的间隙被填充剂溶液填满。接着，在涂布膜形成后，在使基板(9)以中心轴(J1)为中心进行旋转的状态下，通过向基板(9)的上表面(91)的周缘区域(93)赋予剥离液，由此涂布膜中的周缘区域(93)上的部位被从基板(9)上剥离。此外，在涂布膜形成后，通过向基板(9)的上表面(91)的周缘区域(93)与内侧区域(94)的交界部喷射气体，由此促进内侧区域(94)上的涂布膜的外缘部的固化。由此，能够抑制内侧区域(94)上的涂布膜扩展至周缘区域(93)上。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，用于处理基板，其中，基板处理方法具有：a)工序，将在上表面形成有构造体的基板保持为水平状态；b)工序，向所述基板的所述上表面供给处理液而在所述上表面上形成所述处理液的膜即涂布膜，并且由所述处理液填满所述构造体中的间隙；c)工序，在所述b)工序后，在使所述基板以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转的状态下，对所述基板的所述上表面的周缘区域赋予剥离液，由此使所述涂布膜中的所述周缘区域上的部位从所述基板剥离；以及d)工序，在所述b)工序后，向所述基板的所述上表面的所述周缘区域与所述周缘区域的内侧的内侧区域的交界部喷射气体，由此促进所述内侧区域上的涂布膜的外缘部的固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
