[发明专利]紫外线发光半导体器件及其制造方法

摘要

提供不易产生裂纹和着色的紫外线发光半导体器件(即，紫外线耐久性高的紫外线发光半导体器件)。紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于上述基材上的紫外线发光元件、和将上述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，上述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，上述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，上述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有特定的有机聚硅氧烷结构的树脂，上述第1密封材料层不与上述紫外线发光元件的光射出面相接触。

主权项

1.紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于所述基材上的紫外线发光元件、和将所述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，所述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，所述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，所述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有下述通式(2A‑1)或(3A‑1)表示的有机聚硅氧烷结构的树脂，所述第1密封材料层不与所述紫外线发光元件的光射出面相接触，[化学式1]通式(2A‑1)中，R1各自独立地表示烷基，R2各自独立地表示烷氧基或羟基，p1、q1、a1及b1表示满足[p1+b1×q1]：[a1×q1]＝1：0.25～9的正数，[化学式2]通式(3A‑1)中，R1各自独立地表示烷基，R2各自独立地表示烷氧基或羟基，p2、q2、r1、a2及b2表示[a2×q2]/[(p2+b2×q2)+a2×q2+(r1+q2)]成为0.3以上且小于0.6的整数。