[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780034315.X | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109219870B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 儿玉奈绪子 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在以预定的转速旋转的半导体晶片(10)的表面(10a)涂布光致抗蚀剂而形成预定厚度(t1)的光致抗蚀剂膜(31)并使其干燥。然后，在维持光致抗蚀剂膜(31)的预定厚度(t1)的状态下，通过一边以涂布光致抗蚀剂时的预定转速以下的转速使半导体晶片(10)旋转一边滴下药液(44)，并用药液(44)将光致抗蚀剂膜(31)的端部溶解而除去。接着，通过曝光、显影而使光致抗蚀剂膜(31)呈预定图案。显影后，不进行UV固化或者烘烤，而是将光致抗蚀剂膜(31)作为掩模，从半导体晶片(10)的表面(10a)开始进行射程为8μm以上的氦照射(32)。据此，将光致抗蚀剂膜(31)作为掩模而使用，从而可以在预定区域以较佳的位置精度注入预定的杂质，并且能够降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
