[发明专利]等离子体原子层生长装置及原子层生长方法有效
| 申请号： | 201780035111.8 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109312460B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 鹫尾圭亮;松本竜弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455;H01L21/31;H01L21/316;H01L51/50;H05B33/04;H05B33/10;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆;程爽 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高形成在基板上的膜的品质的等离子体原子层生长装置。该等离子体原子层生长装置通过使得在保持基板(1S)的下部电极(BE)和与下部电极(BE)对向配置的上部电极(UE)之间产生等离子体放电，从而在基板(1S)上以原子层为单位而形成膜，其中，具有防附着构件(CTM)，该防附着构件由在平面视角下与上部电极(UE)隔开间隔并包围着上部电极的绝缘体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 原子 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体原子层生长装置，在基板上形成膜，其特征在于，具有：第一电极，其保持所述基板；第二电极，其与所述第一电极相对向，并且使得第二电极与所述第一电极之间产生等离子体放电；防附着构件，其由在平面视角下与所述第二电极隔开间隔并包围着所述第二电极的绝缘体构成。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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