[发明专利]电力用半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780035418.8 申请日: 2017-06-12
公开(公告)号: CN109314063B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 柳本辰则;浅田晋助;东久保耕一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/60;H01L23/36;H01L23/40;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 电力用半导体装置包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层,以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层,在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
搜索关键词: 电力 半导体 装置
【主权项】:
1.一种电力用半导体装置,其特征在于,包括:绝缘基板,至少在表面具有导体层;线材凸块,设置于该导体层上;半导体元件,载置于该线材凸块上;以及焊料层,在该导体层上将该导体层与该半导体元件进行接合,其中,在该线材凸块与该焊料层的界面具有包括该线材凸块的材料和该焊料层的材料的合金。
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