[发明专利]电子倍增器的改进有效
申请号: | 201780035489.8 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN109661713B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | W.谢尔斯;K.亨特 | 申请(专利权)人: | 艾德特斯解决方案有限公司 |
主分类号: | H01J43/18 | 分类号: | H01J43/18;H01J43/10;H01J43/04;H01J43/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;刘春元 |
地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于放大由粒子与电子发射表面的撞击引起的电子信号的设备,所述设备包括:第一电子发射表面,其被配置成接收输入粒子并由此发射一个或多个二次电子;一系列第二和后续电子发射表面,其被配置成从由第一电子发射表面发射的一个或多个二次电子形成放大的电子信号;以及一个或多个电源,其被配置成向发射表面中的一个或多个施加偏置电压,所述偏置电压足以形成放大的电子信号,其中所述设备被配置成使得一系列第二和后续电子发射表面中的末端电子发射表面汲取比剩余电子发射表面的电流更高的电流。本设备可以用作例如质谱仪中检测器的一部分。 | ||
搜索关键词: | 电子倍增器 改进 | ||
【主权项】:
1.一种用于放大由粒子与电子发射表面的碰撞引起的电子信号的设备,所述设备包括:第一电子发射表面,其被配置成接收输入粒子并由此发射一个或多个二次电子,一系列第二和后续电子发射表面,其被配置成从由所述第一电子发射表面发射的所述一个或多个二次电子形成放大的电子信号,以及一个或多个电源,其被配置成向所述发射表面中的一个或多个施加偏置电压,所述偏置电压足以形成所述放大的电子信号,其中,所述设备被配置成使得所述一系列第二和后续电子发射表面中的末端电子发射表面汲取比剩余电子发射表面的电流更高的电流。
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