[发明专利]用于晶片的共晶键合的方法和晶片复合体有效
申请号: | 201780035676.6 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN109311661B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | V·施米茨;A·格罗塞 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于晶片的共晶键合的方法,所述方法具有以下步骤:(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)以及间距保持件(400)的第二晶片(20);(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上,其中,所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上;(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上,其中,所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中;(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶合金使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。本发明也涉及一种共晶键合的晶片复合体和具有这种共晶键合的晶片复合体的微机械装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 共晶键合 方法 复合体 | ||
【主权项】:
1.用于晶片的共晶键合的方法,所述方法具有以下步骤:(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)并且具有间距保持件(400)的第二晶片(20)。(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上,其中,在第一温度(T1)的情况下所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上。(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)以压紧力(500)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上,其中,所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中。(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶体(350)并且由此形成晶片复合体来使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。
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