[发明专利]用于晶片的共晶键合的方法和晶片复合体有效

专利信息
申请号: 201780035676.6 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN109311661B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: V·施米茨;A·格罗塞 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 侯鸣慧
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于晶片的共晶键合的方法,所述方法具有以下步骤:(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)以及间距保持件(400)的第二晶片(20);(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上,其中,所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上;(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上,其中,所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中;(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶合金使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。本发明也涉及一种共晶键合的晶片复合体和具有这种共晶键合的晶片复合体的微机械装置。
搜索关键词: 用于 晶片 共晶键合 方法 复合体
【主权项】:
1.用于晶片的共晶键合的方法,所述方法具有以下步骤:(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)并且具有间距保持件(400)的第二晶片(20)。(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上,其中,在第一温度(T1)的情况下所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上。(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)以压紧力(500)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上,其中,所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中。(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶体(350)并且由此形成晶片复合体来使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780035676.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top