[发明专利]氧化硅系负极材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780036498.9 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN109417168B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 柏谷悠介 申请(专利权)人: 株式会社大阪钛技术
主分类号: H01M4/485 分类号: H01M4/485;C01B33/027;C01B33/12;H01M4/36;H01M4/38
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 朴圣洁;王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够尽可能避免起因于Li浓度分布不均匀的电池性能下降的氧化硅系负极材料。该氧化硅系负极材料为用SiLixOy表示平均组成的粉末,满足0.05<x<y<1.2及平均粒径1μm以上。此外,当随机抽取10个该粉末粒子,并在各个粒子中测量从最表面起深度50nm的位置中的Li浓度L1和从最表面起深度400nm的位置中的Li浓度L2时,L1/L2在任一粒子中均满足0.8<L1<L2<1.2,并且L2的标准偏差为0.1以下。
搜索关键词: 氧化 负极 材料 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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