[发明专利]在石墨烯薄片上沉积钝化层有效
| 申请号： | 201780037184.0 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109314043B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | D·潘;B·戈德史密斯;M·乐纳 | 申请（专利权）人： | 卡蒂亚生物公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所公开技术的实施例包含将钝化层沉积到可以包含石墨烯层的晶片的表面上。所述钝化层可以保护且隔离所述石墨烯层与可能损坏所述石墨烯层的电和化学条件。因此，所述钝化层可以进一步保护石墨烯传感器免于损坏和影响其既定用途。另外，可以图案化所述钝化层以暴露所述钝化层下方的所述石墨烯层的选择区域，因此产生石墨烯凹孔且将所述石墨烯层暴露于适当的化学品和溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 薄片 沉积 钝化 | ||
【主权项】：
1.一种用于产生石墨烯凹孔的方法，其包括：在衬底上放置石墨烯薄片；在所述石墨烯薄片之上沉积第一金属层；在所述第一金属层之上沉积钝化层；以及在所述钝化层之上沉积光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
