[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201780037723.0 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109415841B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 鸣嶋康人;久保田利通 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅的制造方法。所述单晶硅的制造方法具备形成单晶硅的肩部的肩部形成工序和形成单晶硅的直体部的直体部形成工序，在肩部形成工序中，以下加热部的加热量除以上加热部的加热量的加热比从1以上的规定的值变大的方式对坩埚进行加热而形成肩部。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的制造方法，其利用单晶提拉装置并使用切克劳斯基法来进行，所述单晶提拉装置具备：腔室；坩埚，配置于该腔室内；加热部，通过对所述坩埚进行加热而生成硅熔液中添加有掺杂剂的掺杂剂添加熔液；及提拉部，使籽晶与所述掺杂剂添加熔液接触之后进行提拉，所述加热部具备：上加热部，对所述坩埚的侧面的上部进行加热；及下加热部，对所述坩埚的侧面的下部进行加热，所示单晶硅的制造方法的特征在于，具备：肩部形成工序，形成所述单晶硅的肩部；及直体部形成工序，形成所述单晶硅的直体部，在所述肩部形成工序中，以所述下加热部的加热量除以所述上加热部的加热量的加热比从1以上的规定的值变大的方式对所述坩埚进行加热而形成所述肩部。
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