[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备

摘要

本公开涉及一种能够抑制光入射在电荷保持部上的背面照射型成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备。所述成像元件设有：光电转换部；电荷保持部；半导体基板；配线层；绝缘膜层；第一遮光膜；和第二遮光膜。所述绝缘膜层、所述第一遮光膜和所述配线层从所述半导体基板的第二表面侧处按顺序层叠在所述第二表面上，所述第二表面是光入射到其上的第一表面的相对侧。所述第二遮光膜设有：第一遮光部，所述第一遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并从所述半导体基板的第一表面延伸到所述半导体基板的中间位置；第二遮光部，所述第二遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并贯穿所述半导体基板；和第三遮光部，所述第三遮光部覆盖所述半导体基板的第一表面的一部分。例如，本技术可以适用于CMOS图像传感器。

主权项

1.一种成像元件，包括：光电转换部；电荷保持部，所述电荷保持部被构造成保持由所述光电转换部生成的电荷；半导体基板，在所述半导体基板中形成有所述光电转换部和所述电荷保持部；配线层；绝缘膜层；第一遮光膜；和第二遮光膜，其中所述绝缘膜层、所述第一遮光膜和所述配线层从最靠近所述半导体基板的第二表面处按顺序层叠在所述第二表面上，所述第二表面与所述半导体基板的第一表面相对，所述第一表面位于所述半导体基板的受光侧，以及所述第二遮光膜包括第一遮光部，所述第一遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并从所述半导体基板的所述第一表面延伸到所述半导体基板的中间，第二遮光部，所述第二遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并贯穿所述半导体基板，和第三遮光部，所述第三遮光部覆盖所述半导体基板的所述第一表面的一部分。