[发明专利]有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201780038047.9 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109478595B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 福崎英治;渡边哲也;宇佐美由久;谷征夫;冈本敏宏;竹谷纯一 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | H10K85/60 | 分类号： | H10K85/60;H10K71/00;H10K10/46;C07D471/22;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 沈娥;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 有机半导体 化合物 薄膜 晶体 管用 组合 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，其具备含有由下述式(1)表示的化合物的有机半导体膜，[化学式1]![]()
式(1)中，A11及A12分别独立地表示‑O‑、‑N(RN)‑或‑P(RN)‑；B11～B18分别独立地表示‑N＝或‑C(RM)＝，至少1个为‑N＝；RN及RM表示氢原子或取代基，X11～X14分别独立地表示氧原子或硫原子。
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