[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201780038448.4 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109417111B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朴修益;成演准;金珉成;李容京;李恩得 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36;H01L33/22;H01L33/62;H01L33/10;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，以及穿过第二导电半导体层和有源层并设置为延伸到第一导电半导体层的一部分的多个凹槽；设置在多个凹槽内并与第一导电半导体层电连接的多个第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中，多个第一电极和第一导电半导体层接触的第一面积与第二电极和第二导电半导体层接触的第二面积的比例(第一面积：第二面积)范围是从1：3至1:10。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括：第一导电半导体层，第二导电半导体层，有源层，设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间，以及多个凹槽，穿过所述第二导电半导体层和所述有源层并延伸到所述第一导电半导体层的一部分；多个第一电极，设置在所述多个凹槽内并与所述第一导电半导体层电连接；以及第二电极，与所述第二导电半导体层电连接，其中，所述多个第一电极和所述第一导电半导体层接触的第一面积与所述第二电极和所述第二导电半导体层接触的第二面积的比例(第一面积：第二面积)范围是从1：3至1:10。
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