[发明专利]多晶陶瓷衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201780038465.8 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109716508B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里;莎丽·法伦斯 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/20;H01L21/30;H01L27/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造陶瓷衬底结构的方法，包括：提供陶瓷衬底，将陶瓷衬底封装在阻挡层中，和形成联接到阻挡层的键合层。该方法进一步包括移除键合层的一部分以暴露阻挡层的至少一部分并限定填充区域，和在暴露的阻挡层的至少一部分以及填充区域上沉积第二键合层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 陶瓷 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造实质平面的陶瓷衬底结构的方法，所述方法包括：提供具有前表面的陶瓷衬底；将所述陶瓷衬底封装在阻挡层中；形成联接到所述阻挡层的键合层；移除所述键合层的一部分以暴露所述阻挡层的至少一部分并限定填充区域；和在暴露的所述阻挡层的至少一部分和所述填充区域上沉积第二键合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
