[发明专利]场发射装置和重整处理方法有效
| 申请号： | 201780038629.7 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN109314028B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 高桥大造;畠中道大 | 申请（专利权）人： | 株式会社明电舍 |
| 主分类号： | H01J35/06 | 分类号： | H01J35/06;H05G1/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 发射器(3)和靶(7)布置成在真空室(1)中彼此面对，并且保护电极(5)设置在发射器(3)的电子生成部分(31)的外周侧。发射器(3)被具有能移动主体(40)的发射器支撑单元(4)在真空室(1)的两端方向上能移动地支撑。为了执行保护电极(5)的再生处理，通过操作发射器支撑单元使发射器移动到无放电位置，并且设定抑制电子生成部分(31)的场发射的状态，然后通过跨保护电极(5)施加电压，重复放电。在再生处理之后，通过再次操作发射器支撑单元，发射器移动到放电位置，并且在由移动约束单元(6)约束能移动主体(40)朝着另一个端侧的移动的情况下设定电子生成部分(31)的场发射是可允许的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 发射器 支撑单元 电极 发射器移动 放电位置 移动主体 再生处理 场发射 真空室 移动约束单元 场发射装置 彼此面对 两端方向 施加电压 移动地 放电 外周 重整 移动 支撑 重复 | ||
【主权项】：
1.一种电场放射装置，包括：/n真空外壳，通过密封筒状绝缘体的两个端侧并且在所述绝缘体的内壁侧具有真空室而形成；/n发射器，位于所述真空室的一个端侧，并且具有面向所述真空室的另一个端侧的电子生成部分；/n保护电极，布置在所述发射器的所述电子生成部分的外周侧；/n靶，位于所述真空室的所述另一个端侧，并且被设置成面向所述发射器的所述电子生成部分；/n能移动的发射器支撑单元，具有在所述真空室的两端方向上能移动的能移动主体，并且通过所述能移动主体在所述真空室的两端方向上能移动地支撑所述发射器；以及/n移动约束单元，约束所述能移动主体朝着所述两端方向的所述另一个端侧的移动，并且其中/n所述发射器支撑单元被配置成通过所述发射器支撑单元的移动来改变所述发射器的所述电子生成部分和所述靶之间的距离，/n在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的情况下，由所述发射器的所述电子生成部分执行场发射，/n所述移动约束单元具有：/n突出部，在所述真空室的横断方向上从所述能移动主体的外周侧向外突出；以及/n交叉部分，设置在相对于所述突出部的所述真空室的所述另一个端侧的位置处，并且在所述两端方向上与所述突出部交叉，并且/n所述移动约束单元被配置成通过所述突出部与所述交叉部分的接触来约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动。/n
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