[发明专利]半导体光器件的制造方法和半导体光器件有效
| 申请号： | 201780039013.1 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN109314158B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 山本淳平;生田哲也 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在具有至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层的半导体光器件中，可以使厚度比以往更小的半导体光器件的制造方法和半导体光器件。本发明的半导体光器件的制造方法具有：在InP生长用基板(10)上形成半导体层叠体(30)的工序；至少夹着金属接合层(70)将半导体层叠体(30)与由Si基板构成的支承基板(80)接合的工序；以及去除InP生长用基板(10)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：形成在InP生长用基板上层叠多层至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层的半导体层叠体的工序；至少夹着金属接合层将所述半导体层叠体与由Si基板构成的导电性支承基板接合的工序；和去除所述InP生长用基板的工序。
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