[发明专利]写入到交叉点非易失性存储器有效
| 申请号： | 201780040056.1 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN109564764B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王蓓;A·卡德罗尼;W·肯尼;A·约翰逊;D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/11507;H01L27/11502;G11C11/56;G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及存储器装置，且更具体来说，涉及操作非易失性存储器阵列。描述针对非易失性存储器阵列的用于在目标存储器单元的重复存取操作期间防止对非目标存储器单元的干扰的方法、系统及装置。多个存储器单元可与共同导电线电子通信，且每一存储器单元可具有电非线性选择组件。在对目标存储器单元的存取操作(例如，读取或写入操作)之后，可通过将放电电压施加到所述共同导电线将非目标存储器单元放电。所述放电电压可(例如)具有与所述存取电压相反的极性。在其它实例中，可在存取尝试之间建立延迟以便将所述非目标存储器单元放电。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 交叉点 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：将第一电压施加到第一导电线，所述第一导电线与铁电存储器单元电子通信，所述铁电存储器单元与选择组件电子通信，其中所述第一电压在存取操作期间施加；将第二电压施加到第二导电线，所述第二导电线与所述选择组件电子通信，其中所述第二电压在所述存取操作期间施加，且其中在所述存取操作期间跨越所述铁电存储器单元及所述选择组件的电压包括所述第一电压与所述第二电压之间的差；及在所述存取操作之后的放电操作期间将第三电压施加到所述第一导电线，其中所述第三电压的振幅是至少部分基于所述选择组件的阈值电压。
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