[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法有效
申请号: | 201780040108.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN109415805B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 铃木一生;河村朋纪 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
主分类号: | C23C16/42 | 分类号: | C23C16/42;B32B27/00;C23C16/509;H01L21/312 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵雁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法,包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤,上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1~10μg/L以及有机硅氧烷化合物。 | ||
搜索关键词: | 气体 阻隔 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体阻隔性膜的制造方法,包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤,所述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1~10μg/L以及有机硅氧烷化合物。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的