[发明专利]硅化合物材料的制造方法和硅化合物材料制造装置在审
申请号: | 201780040374.8 | 申请日: | 2017-07-04 |
公开(公告)号: | CN109415212A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 福岛康之;赤崎梢;田中康智;秋久保一马;中村武志;霜垣幸浩;百濑健;佐藤登;岛纮平;船门佑一 | 申请(专利权)人: | 株式会社IHI;国立大学法人东京大学 |
主分类号: | C01B32/977 | 分类号: | C01B32/977;C01B33/107;C04B35/565;C23C16/42 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 硅化合物材料的制造方法包含如下工序:将碳化硅的预制体容纳于反应炉中的工序;向反应炉供给包含甲基三氯硅烷的原料气体,使碳化硅含浸于预制体中的工序;以及以预定速度控制从反应炉排出的气体的温度并使其下降,对气体施加连续的热历程,从而减少源自气体的、液体或固体副产物的产生的工序。 | ||
搜索关键词: | 硅化合物 反应炉 碳化硅 预制体 材料制造装置 甲基三氯硅烷 固体副产物 速度控制 原料气体 含浸 炉排 制造 容纳 施加 | ||
【主权项】:
1.一种硅化合物材料的制造方法,其包含如下工序:将碳化硅的预制体容纳于反应炉中的工序;向所述反应炉供给包含甲基三氯硅烷的原料气体,使碳化硅含浸于所述预制体中的工序;以及以预定速度控制并变更从所述反应炉排出的气体的温度,对所述气体施加连续的热历程,从而减少源自所述气体的、液体或固体副产物的产生的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社IHI;国立大学法人东京大学,未经株式会社IHI;国立大学法人东京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780040374.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。