[发明专利]采用单和双扩散中断以提高性能的鳍式场效应晶体管(FINFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路有效
| 申请号： | 201780041144.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109417097B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 袁骏;刘彦翔;K·里姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种具有单和双扩散中断以提高性能的鳍式场效应晶体管(FET)(FinFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。在一方面，采用单和双扩散中断的FinFET CMOS电路包括P型FinFET，其包括由半导体衬底形成并且对应于P型扩散区的第一鳍状件。FinFET CMOS电路包括N型FinFET，其包括由半导体衬底形成并且对应于N型扩散区的第二鳍状件。为了电隔离P型FinFET，在P型FinFET的栅极的任一侧上的第一鳍状件中形成第一和第二单扩散中断(SDB)隔离结构。为了电隔离N型FinFET，在N型FinFET的栅极的任一侧上的第二鳍状件中形成第一和第二双扩散中断(DDB)隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 扩散 中断 提高 性能 场效应 晶体管 finfet 互补 金属 氧化物 半导体 cmos | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，包括：半导体衬底；P型FinFET，包括由所述半导体衬底形成的第一鳍状件并且对应于P型半导体材料(P型)扩散区；N型FinFET，包括由所述半导体衬底形成的第二鳍状件并且对应于N型半导体材料(N型)扩散区；第一单扩散中断(SDB)隔离结构，形成在所述P型FinFET的栅极的第一侧上的所述第一鳍状件中；第二SDB隔离结构，形成在与所述P型FinFET的所述栅极的所述第一侧相对的所述P型FinFET的所述栅极的第二侧上的所述第一鳍状件中；第一双扩散中断(DDB)隔离结构，形成在所述N型FinFET的栅极的第一侧上的所述第二鳍状件中；以及第二DDB隔离结构，形成在与所述N型FinFET的所述栅极的所述第一侧相对的所述N型FinFET的所述栅极的第二侧上的所述第二鳍状件中。
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