[发明专利]一种化学气相渗透或沉积的方法

摘要

本发明提供一种化学气相渗透或沉积的方法，所述方法至少包括以下步骤：‑在多孔基材的孔中或在基材的表面上形成碳化硅，将基材置于反应室中，由引入反应室的气相形成碳化硅，所述气相包含试剂化合物，该试剂化合物是碳化硅的前体，并具有下式：其中：‑n是等于0或1的整数；‑m是1‑3范围内的整数；‑p是0‑2范围内的整数，并且m+p＝3；和‑R表示‑H或‑CH₃；引入的气相中碳原子数与硅原子数之比C/Si在2至3的范围内。

主权项

1.一种化学气相渗透或沉积的方法，所述方法至少包括以下步骤：‑在多孔基材的孔中或在基材的表面上形成碳化硅，将基材置于反应室中，由引入反应室的气相形成碳化硅，所述气相包含试剂化合物，该试剂化合物是碳化硅的前体，并具有下式：其中：‑n是等于0或1的整数；‑m是1‑3范围内的整数；‑p是0‑2范围内的整数，并且m+p＝3；和‑R表示‑H或‑CH3；引入的气相中碳原子数与硅原子数之比C/Si在2至3的范围内。