[发明专利]纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造有效
| 申请号： | 201780041377.3 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN109478534B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | S·V·恩古源;山下典洪;程慷果;T·J·小黑格;朴灿鲁;E·利宁格;李俊涛;S·梅赫塔 | 申请（专利权）人： | 泰塞拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了具有形成为半导体器件的BEOL或MOL层的一部分的气隙隔离物的半导体器件，以及制造这种气隙隔离物的方法。例如，一种方法包括在基板上形成第一金属结构和第二金属结构，其中第一和第二金属结构彼此相邻设置，在第一和第二金属结构之间设置绝缘材料。蚀刻绝缘材料以在第一和第二金属结构之间形成空间。使用夹断沉积工艺在第一和第二金属结构上沉积一层介电材料，以在第一和第二金属结构之间的空间中形成气隙，其中气隙的一部分在第一金属结构和第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺度 半导体器件 间隔 构造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在基板上形成第一金属结构和第二金属结构，其中所述第一和所述第二金属结构彼此相邻设置，具有设置在所述第一和所述第二金属结构之间的绝缘材料；蚀刻所述绝缘材料以在所述第一和第二金属结构之间形成空间；以及在所述第一和所述第二金属结构上沉积一层介电材料，以在所述第一和所述第二金属结构之间的所述空间中形成气隙；其中所述气隙的一部分在所述第一金属结构和所述第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰塞拉公司，未经泰塞拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780041377.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
