[发明专利]附接到半导体晶片的具有通孔的无机晶片在审
| 申请号： | 201780041430.X | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109417031A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 小丹尼尔·W·莱韦斯克;G·A·皮希;A·B·肖里 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/48;H01L23/15;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈洁;姬利永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种过程包括将半导体晶片结合到无机晶片。半导体晶片对对于无机晶片透明的光波长是不透明的。在结合之后，使用发射光波长的激光在无机晶片中形成损伤轨迹。通过蚀刻，无机晶片中的损伤轨迹被扩大以形成穿过无机晶片的孔。孔终止于半导体晶片和无机晶片之间的界面处。还提供了一种制品，包括结合到无机晶片的半导体晶片。半导体晶片对对于无机晶片透明的光波长是不透明的。无机晶片具有穿过无机晶片形成的孔。孔终止于半导体晶片和无机晶片之间的界面处。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 半导体晶片 不透明 光波长 界面处 透明的 损伤 穿过 蚀刻 发射光波长 通孔 激光 | ||
【主权项】：
1.一种过程，包括：使用发射光波长的激光在结合到半导体晶片的无机晶片中形成损伤轨迹，其中所述半导体对所述光波长是不透明的，并且所述无机晶片对所述光波长是透明的；以及通过蚀刻扩大所述无机晶片中的所述损伤轨迹以形成穿过所述无机晶片的孔，所述孔终止于所述半导体晶片和所述无机晶片之间的界面处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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