[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法

摘要

在p型连接层(30)的前端连结p型扩张区域(40)。通过形成这样的p型扩张区域(40)，能够消除在p型连接层(30)与p型保护环(21)之间间隔变大的区域。因此，在台面部中，能够抑制等电位线过度隆起，能够确保耐压。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置，具有单元部和外周部，该外周部包含包围所述单元部的外周的保护环部、以及位于该保护环部与所述单元部之间的连接部，所述碳化硅半导体装置的特征在于，所述碳化硅半导体装置具有第1或者第2导电型的基板(1，101)以及第1导电型的漂移层(2，102)，该第1导电型的漂移层(2，102)形成于所述基板的表面侧，且杂质浓度低于所述基板，在所述单元部或在所述单元部以及所述连接部，设置有第2导电型层(5，30，103)，该第2导电型层(5，30，103)被配置在以条纹状形成于所述漂移层中的多个线状的第1沟槽(5a，30a，103a)内，且由第2导电型的外延膜构成，在所述单元部中具有：与所述第2导电型层电连接的第1电极(9，106)；以及形成在所述基板的背面侧的第2电极(11，107)，在所述单元部设置有在所述第1电极与所述第2电极之间流过电流的垂直型的半导体元件，在所述保护环部或在所述保护环部以及所述连接部，设置有第2导电型环(21，104，105)，该第2导电型环(21，104，105)被配置在从所述漂移层的表面形成且设为包围所述单元部的多个框形状的线状的第2沟槽(21a，104a，105a)内，且由第2导电型的外延膜构成，在所述第2导电型层的前端设置有扩张区域(40，108)，该扩张区域(40，108)与所述第1沟槽的前端连结且仅向朝向多个所述第2导电型层中的相邻的第2导电型层的方向突出，并且所述扩张区域(40，108)被配置在以与该相邻的第2导电型层分离的方式形成的线状的扩张沟槽(40a，108a)内，并由第2导电型的外延膜构成。