[发明专利]缺陷检测装置、缺陷检测方法、裸片接合机、半导体制造方法、以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201780041948.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109564172B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 田井悠;上林笃正 | 申请（专利权）人： | 佳能机械株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;H01L21/301;H01L21/52;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 | 代理人： | 崔永华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 检测在具备有浓淡图案的浓淡层和覆盖该浓淡层的浓淡图案的被覆层的工件中的被覆层形成的缺陷。从照明器照射的照明光是至少与从浓淡层反射而入射到摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长。因此，是降低了浓淡层的浓淡图案的影响的光。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 装置 方法 接合 半导体 制造 以及 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷检测装置，检测在具备浓淡层和被覆层的工件中的被覆层形成的缺陷，其中，该浓淡层具有来源于半导体制造工序的浓淡图案，该被覆层覆盖该浓淡层的浓淡图案，该缺陷检测装置的特征在于，具备观察机构，该观察机构具有：对所述工件进行照明的照明器；和观察由该照明器照明的所述工件的观察部位的摄像装置，从所述照明器照射的照明光是至少与从浓淡层反射而入射到所述摄像装置的光相比从所述被覆层反射或者散射而入射到摄像装置的光的强度大的波长且降低了所述浓淡层的浓淡图案的影响的光。
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